GT010N10TT

MOSFET N-CH 100V 380A 412W TOLT

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
GT010N10TT

Основная информация

Номер детали:
GT010N10TT
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
MOSFET N-CH 100V 380A 412W TOLT

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 220 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус TO-263
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 380A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 13200 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 412W (Tc)