GT100P06D5

MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1700 Статус RoHS: Поддержка
PDF
GT100P06D5

Основная информация

Номер детали:
GT100P06D5
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
MOSFET P-CH 60V 60A 104W DFN5*6-

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 60A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 47 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (5x6)
Корпус 8-PowerSMD, Flat Leads
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3700 pF @ 30 V