GT130N20M
MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1700
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GT130N20M
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET N-CH 200V 90A 250W TO-263
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 90A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263 |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 250W (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5860 pF @ 100 V |