GT20J341,S4X(S

IGBT 600V 20A TO-220SIS

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Одиночные IGBT Количество: 1657 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
GT20J341,S4X(S
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
IGBT 600V 20A TO-220SIS

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Рабочая температура 150°C (TJ)
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Корпус TO-220-3 Full Pack
Ток коллектора (Ic) (макс.) 20 A
Мощность - Максимальная 45 W
Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
Время обратного восстановления (trr) 90 ns
Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Энергия переключения 500µJ (on), 400µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 60ns/240ns
Условия испытания 300V, 20A, 33Ohm, 15V