GT30N135SRA,S1E

IGBT 1350V 60A TO-247

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Одиночные IGBT Количество: 1633 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
GT30N135SRA,S1E
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
IGBT 1350V 60A TO-247

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Корпус TO-247-3
IGBT Тип -
输入类型 Standard
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
Рабочая температура 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус TO-247
Заряд затвора 270 nC
Мощность - Максимальная 348 W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1350 V
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 60A
Энергия переключения -, 1.3mJ (off)
Условия испытания 300V, 60A, 39Ohm, 15V