GT40QR21(STA1,E,D
IGBT 1200V 40A TO-3P
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Одиночные IGBT
Количество:
1665
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GT40QR21(STA1,E,D
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- IGBT 1200V 40A TO-3P
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| IGBT Тип | - |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 40 A |
| 输入类型 | Standard |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Корпус | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | - |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | 230 W |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 80 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-3P(N) |
| Время обратного восстановления (trr) | 600 ns |
| Условия испытания | 280V, 40A, 10Ohm, 20V |
| Энергия переключения | -, 290µJ (off) |