GT40WR21,Q

IGBT 1350V 40A TO-3P

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Одиночные IGBT Количество: 1702 Статус RoHS: Поддержка
PDF
GT40WR21,Q

Основная информация

Номер детали:
GT40WR21,Q
Упаковка:
-
Упаковка:
Tray
Описание:
IGBT 1350V 40A TO-3P

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
IGBT Тип -
Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
输入类型 Standard
Условия испытания -
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Энергия переключения -
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Рабочая температура 175°C (TJ)
Ток коллектора импульсный (Icm) 80 A
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Мощность - Максимальная 375 W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1350 V
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 5.9V @ 15V, 40A