GT50N322A
IGBT 1000V 50A TO-3P
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Одиночные IGBT
Количество:
1609
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GT50N322A
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- IGBT 1000V 50A TO-3P
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| IGBT Тип | - |
| 输入类型 | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 50 A |
| Условия испытания | - |
| Корпус | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Энергия переключения | - |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | - |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 120 A |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1000 V |
| Мощность - Максимальная | 156 W |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-3P(N) |
| Время обратного восстановления (trr) | 800 ns |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |