GT880P15D5
MOSFET P-CH 150V-30A 138W DFN5*6
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1690
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GT880P15D5
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET P-CH 150V-30A 138W DFN5*6
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (5x6) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 138W (Tc) |
| Корпус | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3350 pF @ 75 V |