HN4B102J(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP 30V 1.8A/2A SMV

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные транзисторные массивы Количество: 4102 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
HN4B102J(TE85L,F)
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
TRANS NPN/PNP 30V 1.8A/2A SMV

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Частота - Переход -
Ток отсечки коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Корпус SC-74A, SOT-753
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
Мощность - Максимальная 750mW
Поставщик Устройство Корпус SMV
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 30V
Ток коллектора (Ic) (макс.) 1.8A, 2A
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 200mA, 2V