HP8KC5TB1

60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4095 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HP8KC5TB1

Основная информация

Номер детали:
HP8KC5TB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Поставщик Устройство Корпус 8-HSOP
Корпус 8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.1nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 135pF @ 30V
Мощность - Максимальная 3W (Ta), 20W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 90mOhm @ 4.5A, 10V