HP8KE5TB1

100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4100 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HP8KE5TB1

Основная информация

Номер детали:
HP8KE5TB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Поставщик Устройство Корпус 8-HSOP
Напряжение сток-исток (Vdss) 100V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 2.9nC @ 10V
Корпус 8-PowerTDFN
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 90pF @ 50V
Мощность - Максимальная 3W (Ta), 20W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 193mOhm @ 3A, 10V