HP8KF7HTB1

150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4100 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HP8KF7HTB1

Основная информация

Номер детали:
HP8KF7HTB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
150V 18.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Поставщик Устройство Корпус 8-HSOP
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 20nC @ 10V
Корпус 8-PowerTDFN
Напряжение сток-исток (Vdss) 150V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 62mOhm @ 6A, 10V
Мощность - Максимальная 3W (Ta), 26W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6A (Ta), 18.5A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1100pF @ 75V