HT8KE5HTB1

100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HT8KE5HTB1

Основная информация

Номер детали:
HT8KE5HTB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
100V 6.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Поставщик Устройство Корпус 8-HSOP
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss) 100V
Корпус 8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.7nC @ 10V
Мощность - Максимальная 2W (Ta), 13W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 105pF @ 50V