HT8KE6HTB1
100V 12.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- HT8KE6HTB1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 100V 12.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 1mA |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.5A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 320pF @ 50V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-HSMT (3.2x3) |
| Мощность - Максимальная | 2W (Ta), 14W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) |