HT8MC5TB1

60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HT8MC5TB1

Основная информация

Номер детали:
HT8MC5TB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
60V 10A/11.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
Конфигурация N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Корпус 8-PowerVDFN
Поставщик Устройство Корпус 8-HSMT (3.2x3)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 135pF @ 30V
Мощность - Максимальная 2W (Ta), 13W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A (Ta), 10A (Tc), 4A (Ta), 11.5A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.5A, 10V, 97mOhm @ 4A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.1nC @ 10V, 17.1nC @ 10V