HT8MD5HTB1

80V 9.0A/8.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
HT8MD5HTB1

Основная информация

Номер детали:
HT8MD5HTB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
80V 9.0A/8.5A, DUAL NCH+PCH, HSM

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Конфигурация N and P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Корпус 8-PowerVDFN
Напряжение сток-исток (Vdss) 80V
Поставщик Устройство Корпус 8-HSMT (3.2x3)
Мощность - Максимальная 2W (Ta), 13W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A (Ta), 9A (Tc), 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.5A, 10V, 165mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.1nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 90pF @ 40V, 720pF @ 40V