HTNFET-D
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Производитель:
Honeywell Aerospace
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- HTNFET-D
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 5V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | - |
| Vgs (макс.) | 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.4V @ 100µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 290 pF @ 28 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 50W (Tj) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-CDIP-EP |
| Корпус | 8-CDIP Exposed Pad |