HTNFET-DC

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Производитель: Honeywell Aerospace Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
HTNFET-DC
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Поставщик Устройство Корпус -
Рабочая температура -
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 5V
Напряжение сток-исток (Vdss) 55 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C -
Vgs (макс.) 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.3 nC @ 5 V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 100µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 290 pF @ 28 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 50W (Tj)
Корпус 8-CDIP Exposed Pad