IAUCN10S5L094DATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
5862
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IAUCN10S5L094DATMA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 30nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 35µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 30A, 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 66A (Tj) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2180pF @ 50V |
| Мощность - Максимальная | 96W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TDSON-8-60 |