IAUTN08S5N012LATMA1
MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
3367
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IAUTN08S5N012LATMA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 24nC @ 10V |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 100A, 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8-2 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 300A (Tj) |
| Конфигурация | 2 N-Channel, Common Drain, Common Source |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.3V @ 275µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 15340pF @ 40V |
| Мощность - Максимальная | 375W (Tc) |