ICPB1005-1-110I

DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

Производитель: Microchip Technology Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
ICPB1005-1-110I
Упаковка:
-
Упаковка:
Box
Описание:
DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Ток (Амперы) 2A
Конфигурация -
Коэффициент шума -
Корпус Die
Поставщик Устройство Корпус Die
Номинальное напряжение 28 V
Мощность - Выход 25W
Напряжение - Тест 28 V
Ток - Тест 250 mA
Коэффициент усиления 6.4dB
Технология GaN HEMT
Частота 14GHz