ICPB1020-1-110I

DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

Производитель: Microchip Technology Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
ICPB1020-1-110I
Упаковка:
-
Упаковка:
Box
Описание:
DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация -
Ток (Амперы) 8A
Коэффициент шума -
Корпус Die
Поставщик Устройство Корпус Die
Номинальное напряжение 28 V
Напряжение - Тест 28 V
Ток - Тест 1 A
Мощность - Выход 100W
Коэффициент усиления 7.4dB
Технология GaN HEMT
Частота 14GHz