ICPB2002-1-110I
DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
Производитель:
Microchip Technology
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- ICPB2002-1-110I
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ток (Амперы) | 1A |
| Конфигурация | - |
| Коэффициент шума | - |
| Корпус | Die |
| Поставщик Устройство Корпус | Die |
| Номинальное напряжение | 28 V |
| Коэффициент усиления | 10dB |
| Напряжение - Тест | 28 V |
| Мощность - Выход | 12W |
| Частота | 12GHz |
| Ток - Тест | 125 mA |
| Технология | GaN HEMT |