IGN1011L70
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Производитель:
Integra Technologies Inc.
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1611
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IGN1011L70
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Ток (Амперы) | - |
| Коэффициент шума | - |
| Коэффициент усиления | 22dB |
| Напряжение - Тест | 50 V |
| Частота | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Мощность - Выход | 80W |
| Номинальное напряжение | 120 V |
| Технология | GaN HEMT |
| Ток - Тест | 22 mA |
| Корпус | PL32A2 |
| Поставщик Устройство Корпус | PL32A2 |