IMSQ120R040M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
2297
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IMSQ120R040M2HHXUMA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- SIC DISCRETE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 57A (Tc) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.1V @ 5.5mA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 18A, 18V |
| Мощность - Максимальная | 290W (Tc) |