IRFB3607PBF
IRFB3607PBF is a 75V, 80A N-Channel HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies (formerly International Rectifier). It features a maximum RDS(on) of 9mΩ at VGS = 10V and a TO-220AB through-hole package.
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2275
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IRFB3607PBF
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- IRFB3607PBF is a 75V, 80A N-Channel HEXFET Power MOSFET from Infineon Technologies (formerly International Rectifier). It features a maximum RDS(on) of 9mΩ at VGS = 10V and a TO-220AB through-hole package.
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-220AB |
| Корпус | TO-220-3 |
| Статус детали | Not For New Designs |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 140W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 80A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 100µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3070 pF @ 50 V |