ISG0613N04NM6HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4405
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- ISG0613N04NM6HATMA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 104nC @ 10V |
| Корпус | 10-PowerVDFN |
| Мощность - Максимальная | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-VITFN-10-1 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 42A (Ta), 299A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.8V @ 780µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6200pF @ 20V |