ISG0614N06NM5HATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4504
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- ISG0614N06NM5HATMA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 50A, 10V |
| Корпус | 10-PowerVDFN |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 31A (Ta), 233A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.3V @ 86µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 102nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6400pF @ 30V |
| Мощность - Максимальная | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-VITFN-10-1 |