IV1Q12750T3

SIC MOSFET, 1200V 750MOHM, TO247

Производитель: Inventchip Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
IV1Q12750T3

Основная информация

Номер детали:
IV1Q12750T3
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
SIC MOSFET, 1200V 750MOHM, TO247

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6.8A (Tc)
Корпус TO-247-3
Поставщик Устройство Корпус TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 20V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (макс.) +20V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 20V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 15.8 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 260 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 78.4W (Tc)