IXSJ80N120R1
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Производитель:
IXYS
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- IXSJ80N120R1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 85A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V |
| Vgs (макс.) | +21V, -4V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.8V @ 22.2mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 154 nC @ 18 V |
| Поставщик Устройство Корпус | ISO247-3L |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 40A, 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4522 pF @ 800 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 266W |