MHTG1200HSR3

RF MOSFET GAN NI780

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MHTG1200HSR3
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF MOSFET GAN NI780

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Номинальное напряжение 50 V
Тип монтажа Surface Mount
Ток (Амперы) -
Коэффициент усиления -
Коэффициент шума -
Частота 2.4GHz ~ 2.5GHz
Мощность - Выход 300W
Корпус NI-780S-4L
Поставщик Устройство Корпус NI-780S-4L
Технология GaN
Конфигурация 2 N-Channel