MIP35R12P3STN-BP

IGBT DISCRETE

Производитель: MCC (Micro Commercial Components) Категории продуктов: Модули IGBT Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MIP35R12P3STN-BP
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
IGBT DISCRETE

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Корпус Module
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
Конфигурация Three Phase Inverter with Brake
输入 Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор Yes
Мощность - Максимальная 215 W
Ток коллектора (Ic) (макс.) 35 A
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 35A
Входная емкость (Cies) при Vce 2500 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус P3S