MMDT3906

40V 200MW 100@10MA,1V 200MA PNP

Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Категории продуктов: Биполярные транзисторные массивы Количество: 4575 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MMDT3906
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
40V 200MW 100@10MA,1V 200MA PNP

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Частота - Переход 250MHz
Ток отсечки коллектора (макс.) 50nA
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 40V
Мощность - Максимальная 200mW
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поставщик Устройство Корпус SOT-363
Ток коллектора (Ic) (макс.) 200mA
Тип транзистора 2 PNP