MMRF1314H-1200

RF MOSFET LDMOS 52V NI1230

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MMRF1314H-1200
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
RF MOSFET LDMOS 52V NI1230

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Коэффициент шума -
Коэффициент усиления 17.7dB
Ток - Тест 100 mA
Частота 1.2GHz ~ 1.4GHz
Ток (Амперы) 10µA
Корпус SOT-979A
Мощность - Выход 1000W
Поставщик Устройство Корпус NI-1230-4H
Номинальное напряжение 105 V
Технология LDMOS (Dual)
Конфигурация 2 N-Channel
Напряжение - Тест 52 V