MT3S111P(TE12L,F)

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные РЧ-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MT3S111P(TE12L,F)
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Корпус TO-243AA
Рабочая температура 150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Мощность - Максимальная 1W
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 6V
Частота - Переход 8GHz
Коэффициент усиления 10.5dB
Поставщик Устройство Корпус PW-MINI
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1.25dB @ 1GHz