MT3S111TU,LF

RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные РЧ-транзисторы Количество: 13600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MT3S111TU,LF
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Рабочая температура 150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Частота - Переход 10GHz
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 6V
Коэффициент усиления 12.5dB
Корпус 3-SMD, Flat Leads
Мощность - Максимальная 800mW
Поставщик Устройство Корпус UFM
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz