MT3S113(TE85L,F)

RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ S MINI

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные РЧ-транзисторы Количество: 3217 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MT3S113(TE85L,F)
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ S MINI

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура 150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Поставщик Устройство Корпус S-Mini
Мощность - Максимальная 800mW
Коэффициент усиления 11.8dB
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1.45dB @ 1GHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 5.3V
Частота - Переход 12.5GHz