MT3S113TU,LF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные РЧ-транзисторы Количество: 4102 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
MT3S113TU,LF
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора NPN
Рабочая температура 150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Мощность - Максимальная 900mW
Коэффициент усиления 12.5dB
Корпус 3-SMD, Flat Leads
Поставщик Устройство Корпус UFM
Коэффициент шума (дБ, тип. @ f) 1.45dB @ 1GHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 5.3V
Частота - Переход 11.2GHz