MXP120A045FE-T1GE3
SIC MOSFET
Производитель:
Vishay Siliconix
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- MXP120A045FE-T1GE3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- SIC MOSFET
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | - |
| Корпус | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 49A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 212W (Tc) |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V, 20V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.38V @ 5mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 75.6 nC @ 18 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1958 pF @ 800 V |