NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
Производитель:
NovuSem
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1700
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NC1M120C12HTNG
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Корпус | TO-247-4 |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4L |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (макс.) | +20V, -5V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 214A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.5V @ 40mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8330 pF @ 1000 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 938W (Ta) |