NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Производитель:
NovuSem
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
3780
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NC1M120C12WDCU
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | Die |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Поставщик Устройство Корпус | Wafer |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 214A (Tc) |
| Vgs (макс.) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.5V @ 40mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8330 pF @ 1000 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 20V |