NFAM3212SCBUT
SIC
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NFAM3212SCBUT
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- SIC
Параметры продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая температура | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Vgs(th) (макс.) при Id | - |
| Мощность - Максимальная | - |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | - |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | - |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | - |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Корпус | 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm), 30 Leads |
| Конфигурация | 6 N-Channel (Three Phase Inverter) |
| Поставщик Устройство Корпус | 39-MINI DIP |