NH3T008MP120F2
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Производитель:
NoMIS Power
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1609
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NH3T008MP120F2
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 200A (Tc) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 100mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 530nC @ 20V |