NTMFD001N03P9
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NTMFD001N03P9
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Корпус | 8-PowerWDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PQFN (5x6) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V |
| Мощность - Максимальная | 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc) |