NTTFD1D8N02P1E
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NTTFD1D8N02P1E
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Корпус | 8-PowerWDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Мощность - Максимальная | 800mW (Ta), 900mW (Ta) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 11A (Ta), 21A (Ta) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 190µA, 2V @ 310µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V |