NVXK2TR80WDT
MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NVXK2TR80WDT
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| FET Особенности | - |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 20A (Tc) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.3V @ 5mA |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 56nC @ 20V |
| Корпус | 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm) |
| Поставщик Устройство Корпус | APM32 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 116mOhm @ 20A, 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1154pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 82W (Tc) |