NXH015F120M3F1PTG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1625
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NXH015F120M3F1PTG
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 77A (Tc) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Особенности | Depletion Mode |
| Поставщик Устройство Корпус | 22-PIM (33.8x42.5) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.4V @ 30mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 211nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4696pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 198W (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 60A, 18V |