NXH030F120M3F1PTG

MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM

Производитель: onsemi Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 1654 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
NXH030F120M3F1PTG
Упаковка:
-
Упаковка:
Tray
Описание:
MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Класс -
Квалификация -
Корпус Module
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 38A (Tc)
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
Технология Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Особенности Depletion Mode
Поставщик Устройство Корпус 22-PIM (33.8x42.5)
Vgs(th) (макс.) при Id 4.4V @ 15mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 38.5mOhm @ 30A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 110nC @ 18V
Мощность - Максимальная 100W (Tj)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2246pF @ 800V