NXH450B100H4Q2F2PG-R

1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI

Производитель: onsemi Категории продуктов: Модули IGBT Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
NXH450B100H4Q2F2PG-R
Упаковка:
-
Упаковка:
Tray
Описание:
1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
Корпус Module
IGBT Тип -
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
输入 Standard
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
Ток отсечки коллектора (макс.) 600 µA
NTC Термистор Yes
Ток коллектора (Ic) (макс.) 101 A
Конфигурация Half Bridge Inverter
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 150A
Мощность - Максимальная 234 W
Входная емкость (Cies) при Vce 9.342 nF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус 56-PIM (93x47)